Først, når oksidfilmen begynner å få pulveraktige grå flekker, bør vi først prøve å se om den kan tørkes av. Vi må fjerne forseglingsgrået forårsaket av lukkeprosessen og pulverrestene forårsaket av elektrisk støt.
La oss deretter analysere de grunnleggende årsakene til pulverdannelse under oksidasjon en etter en. Generelt er pulverdannelse på belegget forårsaket av følgende faktorer: 1. Temperaturen på oksidasjonstanken er for høy; 2. Konsentrasjonen av svovelsyre er for lav; 3. Innholdet av aluminiumioner overstiger 18g/L. (Den raske økningen i aluminiumioner skyldes ofte at oksidasjonstanken er for varm, eller at rusk i tanken ikke ble fjernet i tide)
Deretter analyserer vi opprinnelsen til den oksiderte pulverasken en etter en.
Vanligvis er pulverisering av belegget forårsaket av følgende punkter:
1. Temperaturen på oksidasjonstanken er for høy;
2. Svovelsyrekonsentrasjonen er for lav;
3. Innholdet av aluminiumioner overstiger 18g/L. (Den raske økningen i innhold av aluminiumioner er ofte forårsaket av at oksidasjonstankens temperatur er for høy, eller at gjenstander som faller ned i tanken ikke blir hentet i tide)
Hvis temperaturen i oksidasjonstanken er for høy, betyr det at kjøleutstyret ikke er stort nok? Hvis den normale kjølekapasiteten fortsatt er i orden, må du vurdere størrelsen på kjølevannssirkulasjonen. Sjekk om sirkulasjonspumpen er blokkert, noe som forårsaker den høye temperaturen, og feilsøk en etter en.
Svovelsyreinnholdet bør baseres på det daglige svovelsyretapet og inntaket i oksidasjonstanken. Kontroller og fyll på syren regelmessig. Hold konsentrasjonen innenfor prosessområdet (180-220g/L er best).
Temperaturen på elektrolytten har stor innvirkning på slitestyrken til oksidfilmen. Generelt sett, hvis temperaturen synker, øker slitestyrken til den anodiske oksidfilmen på aluminium og aluminiumslegeringer. Dette er fordi elektrolytten løser opp filmen langsommere. For å få en oksidfilm med høyere hardhet, er det best å kontrollere temperaturen innenfor ±2 grader når du gjør hard anodisering.
